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當(dāng)前位置：首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器InGaAs銦鎵砷光電二極管

  • 50Gbps56Gbaud APD Chip（銦鎵砷）

    50Gbps56Gbaud APD Chip（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片

    更新時(shí)間：2025-10-29
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 10Gbps InGaAs APD Chip φ40um（銦鎵砷）

    10Gbps InGaAs APD Chip φ40um（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片

    更新時(shí)間：2025-10-29
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • IRD-IGS-10900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光電二極管

    900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光電二極管 筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。 我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測(cè)波長(zhǎng)超過(guò)典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上

    更新時(shí)間：2025-09-01
    產(chǎn)品型號(hào)：IRD-IGS-10
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  • GESTIN-2TE-TO8-2000900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ2mm

    900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ2mm GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)InGaAs光敏芯片、過(guò)渡電極板、溫度傳感器和兩級(jí)熱電冷卻器（2TE）組成，采用TO封裝形式。本用戶手冊(cè)僅介紹產(chǎn)品系列。

    更新時(shí)間：2025-09-01
    產(chǎn)品型號(hào)：GESTIN-2TE-TO8-2000
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  • GESTIN-2TE-TO8-0300900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ0.3mm

    900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ0.3mm GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)InGaAs光敏芯片、過(guò)渡電極板、溫度傳感器和兩級(jí)熱電冷卻器（2TE）組成，采用TO封裝形式。本用戶手冊(cè)僅介紹產(chǎn)品系列。

    更新時(shí)間：2025-09-01
    產(chǎn)品型號(hào)：GESTIN-2TE-TO8-0300
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